정부 출연 연구비 41억2000만원…5년간 과제 수행 예정

한양대 극자외선 노광기술 산학협력센터(EUV-IUCC·센터장 안진호 신소재공학부 교수)가 과학기술정보통신부의 '5나노(nm)급 이하 반도체 노광공정용 EUV(극자외선) 흡수 및 투과 소재 기술개발' 과제에 협동 연구기관으로 참여한다. 
▲ 안진호 sky 토토사이트센터장


정부출연금 117억원에 민간투자액까지 모두 136억원이 투입되는 이번 프로젝트는 첨단 반도체 제조 핵심기술로 꼽히는 EUV 노광 공정에 필수인 소재 기술을 국산화 하는 것이 골자다. 최근 국내 반도체 대기업 양산 라인에 EUV가 도입돼 관련기술이 주목받고 있지만 이를 뒷받침할 소재·부품·장비 저변은 상대적으로 열악했다. 따라서 이번 프로젝트를 통해 국내 EUV R&D 생태계 저변이 넓어질 것으로 기대된다. 

프로젝트는 2020년 5월 15일부터 2024년 12월 31일까지 총 5차연도에 걸쳐 진행된다. EUV-IUCC가 지원받은 정부출연 연구비는 5년간 총 41억2000만원에 달한다. EUV-IUCC는 이번 프로젝트에서 EUV 포토마스크의 원천기술 개발을 담당할 뿐만 아니라 전체 사업단에서 개발하는 다양한 소재의 특성 평가를 책임질 예정이다. 

연구책임자를 맡은 안진호 EUV-IUCC 센터장은 지난 22년간 EUV 기술개발에 매진해왔다. 안 센터장은 "(EUV-IUCC가) EUV 기술개발의 국내 대표 연구실을 넘어, 이번 과제를 통해 우리나라 반도체 산업의 국제 경쟁력 강화에 기여할 수 있기를 기대한다"고 밝혔다. 

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